Нагрев качерных схем, скорее всего происходит из за волнового не согласования дросселя и коммутатора ( ос то с дросселя нет а только токовая с эммитера, а это согласование системы, игнорирующее мелкие нужды дросселя) если завернуть часть импульса СИ опять на вход дросселя, то он будет не так сильно "кипятить" контурный ток в СИ . Фактически "послед" СИ разряд это фактически "статика" с ХЗ каким вольтажом!
Далее. Как ни странно, но до диода лучше иметь отрезок провода для "передержки" - задающего "резидентное время" для "конденсации" электричества обратно в контурное ( поляризации) . Что интересно, опять все наоборот! Чем выше частота, тем длиннее провод нужен. На 100 КГц 15-20 см, а на 400 - 1 М на 800 КГц - 2 м - видимо не длинна волны играет, а время, необходимое дл того, чтобы СИ импульс мог пролезть через поляризующий диод. Иначе, происходит эффект "потокового запирания" - типа "все ломанулись в1 дверь" - В очередь! С - ны Дети... Ну вот длинна очереди и разнится от частоты. Да ! И "очередь" - провод, должен быть ни в коем случае не смотан в катушку!!! Так - "вольной петлей", иначе каждый виток образует LC контур и срабатывает как фильтр - "прбка"
Да и диода лучше 2 Х 2 ставить... то есть 2 -3 последовательно в 2 параллельные линии. Напряжение общее диодов надо не менее 2 КВ! В парарлельном включении смысл не только в меньшем нагреве ( кстати!!! Очень важно нагревшиеся диоды очень сильно теряют эффективность на СИ!!!) , но и во времени восстановления структуры диода. После прохождения импульса, он временно полу - диод - те P-N переход у него частично развернут на уровне атомов. Спасает то, что как раз СИ "радиант" способствует структуризации кристаллов. Причем, эффективность от схемы возврата появляется минут через 20-30 работы схемы ( вот незняю - транзистор ключевой структурируется или диоды или все) . RC параллельную схему, иногда, можно и не ставить! Прям так - куском провода обратно через диод и на вход дросселя. Но эт подбирать надо длинну. Гонял Си схему с дросселем на частотах 100-1000КГц, до половины мощности генератора выделяется на "обратке" с 130 КГц дроссель лучше без сердечника... и со странно малыми значениями индуктивности ( 0.04mHn - чемпион у меня)
У меня лучше всего работают SF диоды в полтора раза лучше чем HER,FR и пр... они фактически как наши 2Д213 работают. Провод до диода следует рассматривать как "униполярную" емкость - можно поиграться с шириной дорожки ( сечением провода) , но я особой разницы не заметил пока, вопреки всякой теории. СИ электричество - "радиант" по Тесла, имеет несколько другие законы. В основоном народ с ним "договаривается" методом ТЫКА. Но что точно, что СИ разряд предпочитает дважды не ходить по 1 маршруту ( эт даже не снаряд в воронку по теории вероятости, это просто категорическое не желание идти путем где турбулентная среда после предидущего разряда, причем что в воздухе, что в металле! А если еще магнитное поле его крутит... Магнетрон получается.
Владеют сим вопросом немного буржуйские ученые. ( Начиная от длинных в 21 км Линий для подачи ПТ на Аллюминий плавильные печи и кончая схемой Мейера для синтеза водорода - там аж 2 линии с 2 сторон выходного трансформатора 80 КГц ( по слухам) . Народ вообще не замечает эти странные "соленоиды" с минимальной межвитковой "емкостью" ( Отдельно акцентировано Мейером внимание на этом моменте) Даже в оборудовании по производству полупроводников эффект "длинной линии " для накопления "радианта" используется в "имплантер" , благодаря чему "допоненты" попадают в узлы кристаллической решетки а в наших установках при больших энергиях, остаются во внешнем слое " в навал" и не работают как надо. В нашей стране все это похоже на Х никому не надо - в микроэлектронике полный САБОТАЖ. У нас ни одного электромотора и генератора не придумали! Все содрано, зачастую без понимания что к чему. Чего только стоят роторы асинхронных моторов из магнито - мягкой стали, из той же что и статорная "шихта" - унификация епрст... "-" 15-30 % и Cos в Ж...В СССР электричество не считали! Лимит надо выбирать было ( да и по сей день!)
Моя схема борьбы с ВВ пробоем перехода транзистора и снижением его температуры ( выяснили, что как раз от СИ напряжения он и греется, потому как пытается пробиться а спасает его что импульсы короткие. ) И честно сказать, у меня в схемах МОСФЕТЫ летят в самые неожиданные моменты . предпочитаю биполярные, хоть они и тяжеловаты на срабатывание. С ФЕТОМ был такой случай, например, поставил его на транс без сердечника, подал напряжение и давай выводить начальное смещение на затвор... Он оп и загенерил, причем строго на резонансной частоте транса - 800КГц. Без всякой ОС чисто на обратке от импульсов дросселя, попадающих на затвор емкостным путем. Стоял 100 Ом запорный... Рекомендуют 50 - меняю оп... пробой затвора. Печалька! И это при питании 27 В IRF 460 ( 400V) и плевать на КЕ-шку 12 вольтовую на затворе.
_________________ AR1AA МИЭТ ВПК, Создал ГТБМ /ТТ + качер ЕИП НООНЕТ Пользователь
|